Operatyvioji atmintis

Turinys

1. Operatyvioji atmintis 2

1.1. Duomenų saugojimo patikimumas 4

1.2. Operatyviosios atminties spartinimas (per cache) 4

1.3. Spartinančiosios atminties architektūra 7

1.4. Statinė atmintis (SRAM) ir Dinamine atmintis (DRAM) 9

1.5. Dinaminės atminties moduliai 13

1.6. Modulių identifikacija 14

1.7. SIMM moduliai 15

1.8. DIMM moduliai 16

1.9. RIMM moduliai (Rambus Interface Memory Module) 19

1.10. Nuo maitinimo nepriklausanti atmintis 21

Išvados 23

Literatūros sąrašas 241. Operatyvioji atmintis

RAM atmintis – kompiuterio darbinė atmintis, laisvai skaitoma iš bet kurios vietos.

Cache – tarpinę, arba buferinę, atmintis

L1 atmintis – pirmine tarpine atmintimis

SRAM – statinė atmintis. Kaip ir seka iš jos pavadinimo, gali saugoti informaciją statiniame režime – tt.y. kiek norima ilgai kai nėra kreipimosi (bet esant maitinančiai įtampai).

DRAM – dinaminė atmintis, kurioje duomenys saugojami tik trumpą laikąmir nuolat turi būti atnaujinami

Pipelined Burst RAM – patobulinta sinchroninė atmintis

SIMM – atminties modulis su vienpusiu išvedimo aikštelių rinkiniu

DIMM – atminties modulis su dvipusiu išvedimo aikštelių rinkiniu

Šiaip jau tikriausiai visi žinome, kas yra kompiuterio darbinė atmintis (angliškai RAM, t.y. „Random Access Memory“ – laisvai, iš bet kurios vietos skaitoma atmintis). Ji yra būtina kiekvienam kompiuteriui vien dėl to, kad procesorių ir dduomenų saugyklų sparta labai skiriasi. Visais laikais procesoriai gebėjo apdoroti informaciją daug sparčiau, nei buvo galima ją siųsti iš kietojo disko, kompaktinio disko ar kitų pastoviosios atminties įrenginių. Vadinasi, tapo reikalinga tarpinė atmintis (TA), kuri būtų gerokai spartesnė už kietuosius ddiskus. Iš tikrųjų tų tarpinių atminčių yra keletas. Mat net darbinė atmintis nėra pakankamai sparti procesoriui. Todėl dauguma procesorių patys turi vadinamąją tarpinę, arba buferinę, atmintį (angl. „cache“, tariama „keš“). Ji esti kelių lygmenų. Pati sparčiausia yra L1 tarpinė atmintis, kuri beveik visada būna kartu su procesoriumi tame pačiame bloke. Tokią atmintį sudėtinga pagaminti, todėl ji yra labai brangi ir jos dedama labai nedaug – 16, 32 arba 64 KB. L1 atmintis(kartais dar vadinama „Primary cache“ (pirminis kešas) – pirmine tarpine atmintimi) veikia tokia pat sparta, kaip ir procesorius. Joje saugomos dažniausiai naudojamos ir pasikartojančios instrukcijos procesoriui.

Tarpinė atmintis paprastai yra SRAM (statinės darbinės atminties) tipo. Skirtingai nuo įprastinės dinaminės darbinės atminties, SRAM nereikia nuolat atnaujinti saugomų duomenų – kartą įrašyti jjie saugomi tol, kol ištrinami arba kol nutrūksta energijos tiekimas. SRAM naudoja du tranzistorius vienam bitui ir yra gerokai brangesnė už įprastinę DRAM darbinę atmintį. Tarpinė atmintis taip pat gali būti lygiagretaus rašymo (write through), nuoseklaus rašymo (write back) arba lygiagretaus rašymo su laikinąja saugykla (write through with buffer). Kompiuteriuose su lygiagretaus rašymo TA duomenys iš procesoriaus keliauja tuo pat metu ir į tarpinę, ir į darbinę atmintį. Naudojant nuoseklaus rašymo TA, duomenys rašomi į tarpinę atmintį, o iš jos &– į darbinę. Tokia sistema yra apytikriai 10% spartesnė.

Dauguma kompiuterių turi ir L2, arba antrinę (secondary cache), tarpinę atmintį. Ji yra reikalinga dėl to, kad pirminė TA nepanaikina atotrūkio tarp procesoriaus ir pagrindinės darbinės atminties. Pirminė tarpinė atmintis gali būti apie 50 kartų spartesnė už darbinę atmintį. Todėl į kompiuterius dedama ir antrinė tarpinė atmintis. Ši paprastai būna 256 arba 512 KB talpos ir taip pat naudoja SRAM technologiją. Pagrindinis sistemų kūrėjų tikslas – pasiekti, kad procesorius duomenis iš antrinės TA pasiimtų kaip galima sparčiau, nesugaišdamas papildomų procesoriaus ciklų. Kadangi informacija paprastai imama per vieną vadinamąjį srauto (burst) ciklą keturių perdavimų (transfers) seka, tai neretai L2 TA sparta vertinama pagal tai, kiek procesoriaus ciklų prireikia atlikti vieną duomenų srauto skaitymą. Dar visai neseniai asmeniniuose kompiuteriuose su 66 MHz duomenų magistralėmis populiariausia buvo sinchroninio srauto SRAM (Synchronous Burst SRAM). Ji turėjo geriausią duomenų srauto skaitymo rodiklį (2-1-1-1), tačiau didesnio dažnio magistralėse sinchroninė SRAM labai sulėtėja. Todėl moderniuose AK su 100 ar 133 MHz duomenų magistralėmis dedama vadinamoji nukreipto srauto SRAM (Pipelined Burst SRAM), kurios skaitymo rodiklis yra (3-1-1-1).

Pats vartotojas TA rūpinasi labai retai. Pirminė TA būna sumontuota. procesoriaus bloke. Antrinė TA kartais lituojama pagrindinėje plokštėje arba dedama į specialius (CELP arba CCOAST) lizdus. COAST lizdas primena darbinės atminties SIMM lizdus. Tarpinę atmintį jame galima keisti, bet taip daroma retai.

Daugiausiai vartotojui tenka susidurti su trečiojo – svarbiausiojo – tipo darbine atmintimi. DA būna net keliolikos įvairių DRAM tipų bei variantų ir paprastai montuojama į specialius blokelius. Pavyzdžiui, kompiuteris, kuriuo rašomas šis tekstas, naudoja 128 MB darbinės SDRAM atminties dviejuose DIMM tipo blokeliuose.

DRAM nuo SRAM skiriasi tuo, kad duomenis gali saugoti tik labai trumpą laiką, tad jie turi būti nuolat atnaujinami. Taip kilo ir dinaminės atminties pavadinimas. DRAM turi dvigubai mažiau tranzistorių už SRAM, yra pigesnė ir paprastesnė pagaminti. Kiekvienam bitui DRAM modulyje skiriamas vienas tranzistorius ir vienas kondensatorius. Kondensatoriuje signalas išbūna taip trumpai, kad darbinės atminties turinį tenka atnaujinti daugybę kartų per sekundę. Vadinamoji DA sparta dažniausiai ir matuojama nanosekundėmis (ns), kurios žymi, kas kiek laiko yra atnaujinamas darbinės atminties turinys. Dauguma šiuolaikinių kompiuterių naudoja 60 arba 70 ns DA blokelius.

Kadangi turinio atnaujinimas trukdo duomenų skaitymui, tai kompiuteriui nepakanka vien darbinės atminties, prireikia ir tarpinės (cache) atminties. Be to, spartesnių nei 200 MHz procesorių nebetenkina įprastinė DRAM darbinė atmintis, tad nuolat kuriami nauji, patobulinti DA tipai.1.1. Duomenų saugojimo patikimumas

ECC-Memory – klaidų paieškos ir koregavimo atmintis.

Checksum – dažniausiai tai baitas vykdantis sumą iiki nulio pagal visą 256 modulį.

Atminties Bankai – vadinama mikroschemų arba modulių komplektai, kurie užtikrina reikalingą duomenų saugojimą.

Operatyvioji atmintis susideda iš ląstelių. Jeigu ląstelė negali saugoti tam tikrą laiką informacijos, t.y. praranda savo darbštumą, tai reikia keisti visą modulį. Dažniausiai to priežastimi būna kontakto praradimas veikiant atminčiai arba neteisingas kompiuterio naudojimas. Spaudimas RESET ar Ctrl+Alt+Del. Arba gali atsirasti klaidos. Kompiuteryje tokiu atveju naudojama ECC Memory (Error Cheking and Correcting) Ji yra nustatoma CMOS Setup (e). Galimi keli variantai:

• automatiškai koreguoti klaidas nepranešant sistemai;

• taisyti klaidas, apie pasikartojančius daugelį kartų pranešti sistemai;

• netaisyti klaidų o tik pranešti sistemai apie jas.

Informacijos patikimumas ROM BIOS ar CMOS RTC, ESCD atmintyse tikrinama su sumos kontroleriu Checksum).

Atminties bankai užtikrina reikalingą duomenų saugojimą. 486 kompiuteriuose duomenų bankų yra SIMM-72 arba SIMM-30. 5-6 procesoriams ar 7-am AMD bankų gali būti SIMM-72 arba DIMM ar RIMM. Ant plokščių su čipseitų i850 ar procesoriumi Pentium 4 – RIMM.1.2. Operatyviosios atminties spartinimas (per cache)

Spartinančioji atmintis – trumpinant keitimosi duomenimis tarp procesoriaus ir dinaminės atminties trukmę

Locality of Reference – žymeklių vietovė

Cache Hit – Apibendrintas spartinančiosios atminties modelis

Cache Miss – Kreipinys į spartinančiąją atmintį teigiamas

Consistency – Spartinančiosios atminties vientisumas (duomenų teisingumas)

Dirty data – „Darbiniai“ duomenys“

Stale data – „Pasenę“ duomenys“

Prieš aptariant pagrindines

spartinančiosios atminties rūšis reikia išsiaiškinti, kas gi ši atmintis yra apskritai. Tai nedidelės talpos labai sparti atmintis (dažniausiai sudaroma iš statinės operatyviosios atminties {SRAM} mikroschemų), kurioje saugomi ypač dažnai naudojami pagrindinės atminties fragmentai.

Kam ši spartinančioji atmintis reikalinga ir kokia jos nauda? Šiuolaikiniuose kompiuteriuose trukmė, būtina instrukcijai (arba duomenims) įkelti į procesorių, labai ilga, palyginti su instrukcijos vykdymo trukme. Pvz., būdingiausias procesoriaus keitimosi duomenimis su dinamine operatyviąja atmintimi DRAM laikas – 60 ns (SDRAM – 15 ns). 1000 MHz taktinio dažnio PPentium® procesorius daugelį instrukcijų vykdo per vieną ciklą t. y. per l ns. Todėl silpnoji vieta (angį. bottle neck – butelio kaklelis) formuojasi procesoriaus įėjime. Spartinančioji atmintis gelbsti trumpinant keitimosi duomenimis tarp procesoriaus ir dinaminės atminties trukmę. Įprastinis kreipties į SRAM laikas yra 3-10 ns. Todėl spartinančioji atmintis suteikia galimybę kreiptis į mažus pagrindinės atminties fragmentus 4-10 kartų greičiau nei DRAM mikroschemos (pagrindinė atmintis).

Kyla klausimas – kaip gali mažos talpos spartinančioji atmintis pagerinti viso kompiuterio galimybes? Teorija, aiškinanti šias galimybes, aangį. vadinama Locality of Reference – „žymeklių vietovė“. Jos pagrindinė koncepcija: bet kuriuo laiko momentu tam tikra pagrindinės atminties dalis (manoma, kad 10-20%) gali būti reikalinga procesoriui (su 80-90% tikimybe). Spartinančioji atmintis įsikelia šią dalį ir tuomet procesorius greičiau operuoja vvisa kompiuterio atminties sistema. Tyrimai rodo, kad vykdant įprastas užduotis Pentium® procesorius savo 16 K vidinėje spartinančiojoje atmintyje saugo per 90% visų procesoriui būtinų adresų. Tai reiškia, kad daugiau kaip 90% kreipčių į atmintį bus atlikta per spartinančiąją atmintį.

Kyla klausimas – kodėl pagrindinėje atmintyje naudojamos DRAM, o ne SRAM mikroschemos? Pagrindinė priežastis – kaina. Statinės atminties mikroschemos keliskart brangesnės už dinaminės atminties mikroschemas. Be to, statinė atmintis naudoja žymiai daugiau energijos ir užima daugiau vietos. Taigi paminėję spartinančiosios atminties naudojimo priežastis, nagrinėsime apibendrintą spartinančiosios atminties modelį.

Apibendrintas spartinančiosios atminties modelis

Paveiksle pavaizduota kompiuterio su spartinančiąja atmintimi dalies supaprastinta schema. Tokiame kompiuteryje kiekvieną kartą, kai procesorius skaito iš atminties arba rašo į ją, spartinančioji atmintis gali pertraukti procesoriaus magistralės transakciją (duomenų kaitos operaciją), ttaip sumažėja kompiuterio atsako trukmė.

Kreipinys į spartinančiąją atmintį teigiamas {Cache Hit}.Kai spartinančiojoje atmintyje yra procesoriaus ieškomi duomenys, transakcija signalizuoja, kad spartinančioji atmintis „ne tuščia“ {cache hit} arba tiesiog, kad kreipinys į spartinančiąją atmintį yra teigiamas.

Kreipinys į spartinančiąją atmintį neigiamas {Cache Miss}.Kai spartinančiojoje atmintyje nėra procesoriaus ieškomų duomenų, transakcija praneša, kad spartinančioji atmintis „tuščia“ {cache miss} arba tiesiog, kad kreipinys į spartinančiąją atmintį yra neigiamas.

Spartinančiosios atminties vientisumas (duomenų teisingumas) {Consistency}. Kadangi spartinančioji atmintis kiek primena pagrindinės atminties tam tikro fragmento kopiją aarba „nuotrauką“, labai svarbu, kad ji teisingai atvaizduotų, kas šiuo momentu yra pagrindinėje atmintyje. Spartinančiosios atminties vientisumą apibrėžia šie terminai ir sąvokos. (kai kurios paaiškintos verčiant iš anglų kalbos pažodžiui):

„Sekimas“ {Snoop}. Kai spartinančioji atmintis transakcijų metu tikrina adresų magistralę, tai vadinama „sekimu“ {snoop}. Dėl šios funkcijos spartinančioji atmintis gali „matyti“, ar nėra joje pačioje duomenų transakcijai, besikreipiančiai į pagrindinę atmintį.

„Būti spąstuose“ {Šnare}. Spartinančioji atmintis imdama informaciją iš duomenų magistralės „skelbia“, kad turi duomenų „spąstuose“. Dėl šios funkcijos spartinančioji atmintis turi būti atnaujinama ir užtikrinamas duomenų joje vientisumas pagrindinės atminties atžvilgiu.

Snoop ir snare – mechanizmai, kuriais spartinančioji atmintis užtikrina duomenų vientisumą. Kiti du terminai dažniausiai vartojami spartinančiosios atminties duomenų nevientisumui apibūdinti. Tai:

„Darbiniai“ duomenys {Dirty data}. Kai duomenys modifikuojami tik spartinančiojoje atmintyje, bet nemodifikuojami pagrindinėje atmintyje, jie spartinančiojoje atmintyje skelbiami kaip „darbiniai“ duomenys {dirty data}.

„Pasenę“ duomenys {Stale data}. Kai duomenys modifikuojami pagrindinėje atmintyje, bet nemodifikuojami spartinančiojoje atmintyje, šie joje esantys duomenys ir vadinami „pasenusiais“ {stale data}.

Išvardiję kai kurias spartinančiosios atminties funkcijas galime nagrinėti, kaip ši atmintis sudaroma ir kaip tai turi įtakos jos funkcionavimui.1.3. Spartinančiosios atminties architektūra

Look Aside – „Peržiūra iš šalies“

HIT – Teigiamas rezultatas

MISS – Neigiamas rezultatas

Write-Back – Atgalinis įrašymas

VVrite-Through – Ištisinis įrašymas

Visos spartinančios atmintys apibūdinamos dviem charakteristikomis: skaitymo architektūra ir įįrašymo metodu. Skaitymo architektūra gali būti arba „peržiūros iš šalies“ {Look Aside}, arba „ištisinės peržiūros“ {Look Through} tipo. Įrašymo metodai taip pat gali būti dvejopi – arba „atgalinis rašymas“ {Write Back}, arba „ištisinis rašymas“ {Write Through}. Kiekviena skaitymo architektūra, pagal kompiuterio organizavimą, gali būti pagrįsta bet kurio įrašymo metodo taikymu. Įrašymo metodai detaliau bus aptariami kitame poskyryje. Dabar išnagrinėsime skaitymo architektūrą.

„Peržiūros iš šalies“ architektūra

Paveiksle parodyta spartinančiosios atminties „peržiūros iš šalies“ {Look Aside} architektūros schema. Šioje schemoje pagrindinė atmintis išdėstyta priešpriešiais procesoriaus magistralei. Šios architektūros skiriamasis bruožas yra tai, kad spartinančioji atmintis veikia lygiagrečiai su pagrindine atmintimi. Būtina pabrėžti, kad ir pagrindinė atmintis, ir spartinančioji atmintis „pastebi“ magistralės kreipčių į atmintį ciklus tuo pačiu metu. Tai atitinka atminties pavadinimą – „peržiūra iš šalies“.

„Peržiūros iš šalies“ spartinančiosios atminties skaitymo ciklo pavyzdys.

Kai procesorius pradeda skaitymo iš atminties ciklą, spartinančioji atmintis tuomet tikrina („žiūri“), ar yra jos požymių kataloge {Tag RAM} atminties adresas (ar spartinančioji atmintis yra hit būsenos).

Teigiamas rezultatas {HIT}:

Jei spartinančiojoje atmintyje jau yra esamos kreipties į atmintį adresas, ji pradeda atsakinėti į skaitymo ciklą ir nutraukia įprastą kreipimosi į atmintį procesoriaus magistralės ciklą.

Neigiamas rezultatas{MISS}:

Jeigu spartinančiojoje atmintyje nėra kreipties į atmintį adreso, pagrindinė atmintis ima atsakinėti į procesoriaus užklausą ir nutraukia įprastą procesoriaus mmagistralės ciklą. Spartinančioji atmintis gi šiuos duomenis įsimena taip, kad kitą kartą, kai procesoriui prireiks šių duomenų, jie jau bus spartinančiosios atminties požymių kataloge {hit}.

„Peržiūros iš šalies“ spartinančiosios atminties architektūra nėra labai sudėtinga, tad ir nebrangi. Be to, ši architektūra užtikrina geresnį (t. y. greitesnį) sistemos atsaką į neigiamus spartinančiosios atminties rezultatus {miss}, kadangi ir dinaminė operatyvioji atmintis, ir spartinančioji atmintis vienu metu pastebi magistralės ciklą. Neigiamas bruožas yra tai, kad procesorius negali kreiptis į spartinančiąją atmintį tuo metu, kai kitas magistralės valdiklis kreipiasi į pagrindinę atmintį.

Įrašymo metodai

Įrašymo metodai {Write Policy} lemia, kaip pasiekiama spartinančioji atmintis įrašymo ciklo metu. Yra du pagrindiniai įrašymo metodai – atgalinis įrašymas {Write-Back} ir ištisinis įrašymas {VVrite-Through}.

Pagal atgalinio įrašymo {Write-Back} metodą spartinančioji atmintis veikia kaip buferis, t. y. procesorius pradeda įrašymo ciklą, spartinančioji atmintis priima duomenis ir nutraukia šį ciklą. Spartinančioji atmintis įrašo duomenis į pagrindinę atmintį tik tada, kai laisva procesoriaus magistralė. Sis metodas užtikrina kompiuterio sistemos spartą, nes procesorius gali tęsti darbą, o pagrindinė atmintis atnaujinama vėliau. Dėl tokios įrašymo į pagrindinę atmintį kontrolės spartinančioji atmintis sudėtingėja, tad ir jos kaina didėja.

Kitas metodas vadinamas ištisiniu įrašymu {VVrite-Through}. Kaip seka iš pavadinimo, procesorius duomenis į pagrindinę atmintį įrašinėja visada per spartinančiąją

atmintį. Spartinančiosios atminties turinys gali atsinaujinti, tačiau įrašymo ciklas nesibaigia tol, kol šie visi duomenys įrašomi į pagrindinę atmintį. Sis metodas ne tiek sudėtingas ir todėl ne toks brangus. Kompiuterio sistemos, taikančios šį metodą, galimybės mažesnės, nes procesorius turi laukti, kol duomenys pasieks pagrindinę atmintį. (Teigiamas efektas gaunamas duomenis skaitant).1.4. Statinė atmintis (SRAM) ir Dinamine atmintis (DRAM)

Statinė atmintis {SRAM}. Statinė laisvosios kreipties atmintis{Static Random Access Memory — SRAM} yra atminties, saugančios duomenis, blokas. Nuo SRAM talpos priklauso pačios spartinančiosios atminties ttalpumas.

Požymių katalogas {Tag RAM}. Tai maža statinės atminties dalis, kur tam tikra savita forma saugomi adresai tų duomenų, kurie šiuo metu yra spartinančiosios atminties SRAM-e.

Spartinančiosios atminties valdiklis. Tai spartinančiosios atminties „smegenys“. Valdiklis vykdo: „sekimą“ {snoops} ir „pagavimą“ {šnarės}, atnaujina SRAM ir Tag RAM bei kontroliuoja nustatytą įrašymo metodą. Spartinančiosios atminties valdiklis taip pat nustato, ar iškviestosios pagrindinės atminties turinys talpinamas į spartinančiąją atmintį (ar ji yra „kešuojama“)? Jei taip, tai ar užklausos duomenys yra spartinančiosios atminties požymių kataloge {hit}, ar jjų ten nėra {miss}.

DRAM – dinaminė atmintis, kurioje duomenys saudojami tik trumpą laikąmir nuolat turi būti atnaujinami

EDO – informacija iš kito atminties adreso gali būti rengiama skaitymui dar nebaigus procesoriui pasiimti duomenų iš anksčiau pateikto adreso

BEDO – srauto EDO atmintis <

Asinchroninė atmintis – veikia savo pačių dažniais ir su procesoriumi nėra sinchronizuojami

ESDRAM – patobulintą SDRAM

DDR SDRAM – dvigubo duomenų srauto SDRAM.

Dinaminė atmintis – DRAM (Dynamic RAM) – gavo savo pavadinimą iš jos veikimo principo, kuris esmiškai skiriasi nuo statinės atminties.

Anksčiau netekdavo sukti galvos dėl įsigyjamos darbinės atminties tipo. Beveik visa ji buvo specialistų vadinama FPM (Fast Page Mode) atmintimi. Tokio tipo atmintis yra senuose 386 ir 486 kompiuteriuose, dažniausiai 30 kontaktų SIMM blokelių pavidalu. Pavadinimą FPM ji gavo todėl, kad gali sparčiai pateikti nuosekliai skaitomą informaciją iš to paties atminties segmento, vadinamo „puslapiu“. Keičiant puslapius FPM sparta gerokai sumažėja, tačiau iš atminties informacija dažniausiai imama nuosekliai, todėl FPM atmintis buvo spartesnė už naudotą pirmuosiuose asmeniniuose kompiuteriuose. Deja, FPM tipo atmintis ttegalėjo dirbti magistralėse, kurių dažniai neviršydavo 30 MHz, tad net naujesniems 486 kartos kompiuteriams prireikė ją keisti kuo kitu.

Daugelyje 486 ir „Pentium“ kompiuterių yra naudojama EDO (Extended Data Out) darbinė atmintis. Ji gali veikti iki 50 MHz magistralėse ir būna 70, 60 arba 50 ns spartos. EDO atmintis yra spartesnė už FPM, nes informacija iš kito atminties adreso gali būti rengiama skaitymui dar nebaigus procesoriui pasiimti duomenų iš anksčiau pateikto adreso.

EDO atmintis gana ilgai karaliavo rinkoje. Net atsiradus dar spartesnei SSDRAM atminčiai buvo bandoma tobulinti EDO technologiją, nes naujoji SDRAM atmintis buvo palyginti brangi. Buvo sukurta BEDO („Burst EDO“, srauto EDO) atmintis. Joje išvis buvo panaikintas anksčiau taikytas atminties valdiklio modelis, nes šis privalėdavo laukti, kol duomenys bus visiškai paruošti, prieš siųsdamas juos sistemos procesoriui. BEDO atmintis buvo beveik dvigubai spartesnė už FPM atmintį ir iki 50% spartesnė už paprastą EDO. Nepaisant gerokai padidintos spartos, BEDO technologija pralaimėjo konkurencijos varžybas SDRAM. Kompiuterio valdymo mikroschemų gamintojai nenorėjo kurti kelių skirtingų mikroschemų rinkinių (chipsets) vien todėl, kad dalis kompiuterių naudos SDRAM, o kiti – BEDO DRAM.

Visi iki šiol minėti atminties tipai priskiriami asinchroninės atminties kategorijai. Jie veikia savo pačių dažniais ir su procesoriumi nėra sinchronizuojami. Norėdami padidinti procesoriaus ir atminties magistralių spartą turime kaip nors išspręsti ir sinchronizavimo problemą. Jos sprendimas pasirodė ganėtinai sudėtingas, tad rinkoje SDRAM atsirado po ilgo kūrimo ir bandymų periodo.

SDRAM labai skiriasi nuo ankstesnių atminties tipų. Ji yra sinchronizuojama su magistralės (ir kartu procesoriaus) dažniu, tad ir SDRAM sparta nurodoma ne nanosekundėmis, o megahercais. Pardavėjų kainoraščiuose dažniausiai pamatysite 66, 100 ir 133 MHz SDRAM modulius. Pal.yginti su ankstesniųjų tipų atmintimi, apytikriai galima teigti, kad 66 MHz SDRAM sparta yra 13 ns, 100 MHz – 10 ns, o 133 MMHz – 6 ns. SDRAM atmintyje daugiau laiko sugaištama informacijos paruošimui perduoti, tačiau pabaigus šį darbą duomenys į procesorių perduodami labai didelės spartos nuosekliu srautu.

Pradinis SDRAM standartas (dar žinomas kaip JEDEC pagal jį kūrusios organizacijos pavadinimą) buvo taikomas 66 MHz magistralėms, tačiau netrukus buvo patobulintas 83 ir 100 MHz magistralėms. Pirmosios kartos SDRAM susidūrė su patikimumo problemomis, o tai grėsė tiek nemalonumais atminties ir kompiuterių gamintojams, tiek ir paties standarto, į kurio kūrimą buvo investuotos milžiniškos sumos, pragaištimi.

Norėdama pritaikyti darbinę atmintį savo 100 MHz magistralės pagrindinėms plokštėms su 440BX mikroschemų rinkiniu „Intel“ sukūrė PC100 specifikaciją, kuri dideliame 70 puslapių dokumente apibrėžia, kaip turi veikti šio tipo SDRAM atmintis. PC100 SDRAM turėjo būti paskutinė tokio tipo darbinė atmintis, toliau rinką užleisianti „Rambus“ technologijai, tačiau dėl labai užsitęsusio pastarosios kūrimo ir tobulinimo atsirado net keletas naujų SDRAM variantų. Pavyzdžiui, pernai, nebesulaukusios nebrangių ir patikimų „Rambus“ variantų, AMD ir kai kurios mikrochemų rinkinių gamintojos nusprendė naudoti PC133 standarto SDRAM atmintį, kuri naudojama su 133 MHz magistrale ir gali duomenis perduoti iki 1,6 GB per sekundę sparta (kiti variantai gali pasiekti tik 800 MB/s spartą). Ilgai dvejojusi PC133 standartui pritarė ir „Intel“, nes rinkoje būtų įvykęs visiems nenaudingas skilimas.

Netikėtai lėtas „Rambus“ plitimas pasitarnavo puikia ddirva alternatyvių atminties tipų kūrėjams. Pastaruoju metu rinkoje pasirodė bent trys nauji reikšmingi SDRAM atminties tipai, žadantys jei ne nukonkuruoti, tai bent užpildyti nišą „Rambus“ belaukiant.

Vieną tokių modelių, ESDRAM („Enhanced SDRAM“ – patobulintą SDRAM) gamina bendrovė „Enhanced Memory Systems“. Ypatingų naujovių šis atminties tipas neturi, tačiau kiekviename SDRAM luste prideda po nedidelį statinės SRAM atminties kiekį. Ši statinė atmintis tarnauja dar viena tarpine atmintimi, paspartinančia pasikartojančių duomenų perdavimą iš darbinės atminties į procesorių.

Kadangi ESDRAM yra vienos bendrovės gaminys, rinkoje labiau plinta atviro standarto DA tipai – DDR SDRAM ir SLDRAM. Pirmasis jų dvigubina signalo perdavimo dažnį, o antrasis yra labai panašus į „Rambus“ atmintį tuo, kad naudoja vieną duomenų perdavimo kanalą ir yra valdomas specialiu protokolu.

DDR SDRAM („Double Data Rate SDRAM“ – dvigubo duomenų srauto SDRAM) veikia tokiu pat dažniu, kaip ir, sakykime, 100 MHz SDRAM, tačiau duomenis sugeba perduoti tiek ciklo pradžioje, tiek ir pabaigoje. Taigi, nedidindami magistralės ir darbinės atminties dažnio, galime perduoti duomenis sparta, atitinkančia 200 MHz. Šiuo metu DDR SDRAM naudojama kai kuriose naujausios kartos vaizdo plokštėse, bet netrukus gali paplisti ir kaip pagrindinė AK darbinė atmintis.

Pagrindinė konkurentė „Rambus“ technologijai vis dėlto yra SLDRAM (SyncLink DRAM). Šio tipo atmintis savo veikimo principu yra panaši ir

į „Rambus“, ir į DDR SDRAM. Ji, kaip ir DDR SDRAM, gali veikti dvigubu magistralės dažniu, tačiau signalas joje keliauja vienu itin didelės spartos kanalu ir yra valdomas specialaus valdiklio. Vienas didžiausių SLDRAM privalumų yra tas, kad valdymo protokolus ir pačią darbinės atminties konstrukciją apibrėžia atviras viešas standartas, o tai reiškia, kad jį tobulinti gali visi, ne vien, tarkime, „Intel“ ir „Rambus“. Kol kas dar ankstoka prognozuoti SLDRAM paplitimą. Tai, kad šio tipo darbinė atmintis gali pasiekti 800 MHz spartą, vvis vėluojantys „Rambus“ sprendimai bei santykinė „Intel 820″ mikroschemų nesėkmė lyg ir žadėtų gražią ateitį SLDRAM kūrėjams, tačiau rinkoje dažnai nugali ne geriausias produktas, o didžiausią svorį ir įtaką turinčios firmos..1.5. Dinaminės atminties moduliai

SIMM – atminties modulis su vienpusiu išvedimo aikštelių rinkiniu

DIMM – atminties modulis su dvipusiu išvedimo aikštelių rinkiniu

RIMM – specialiai yra skirti RDRAM atminčiai. Juose 30-laidė šina eina iš karės į dešinę, ir toje šinoje yra lituojamos RDRAM mikroschemos BGA korpusuose. RIMM modulis turi iki 16 RDRAM mikroschemų, kkurios yra sujungiamos lygiagrečiai visais išvedimais (išskyrus dvejus).Atminties mikroschemos yra uždengtos radiatoriaus plokšte.

Pirmuosiuose asmeniniuose kompiuteriuose darbinės atminties lustai buvo tiesiog prilituojami prie pagrindinės plokštės. Tokiose sistemose nebūdavo galima išplėsti darbinės atminties. Kiek vėliau lustus imta dėti į lizdus. Iš lizdo DDA lustą būdavo galima išimti specialiomis replėmis ir įdėti kitą. Kartais keli lizdai buvo paliekami tušti, kad vartotojai vėliau galėtų išplėsti DA savo kompiuteryje. Žinoma, šiedu variantai buvo labai nepatogūs. Dedant DA lustą į lizdą galima sulankstyti ar visai nulaužti plonytes jo kontaktų adatėles, o tada jo pataisyti jau nebeįmanoma.

Kadangi vartotojai pageidavo paprastesnio ir patikimesnio būdo išplėsti atmintį, daugiau kaip prieš 10 metų ėmė plisti „moduliari“ atmintis. DA lustai buvo montuojami į specialų blokelį, vadinamą SIMM („Single In-line Memory Module“ – vienos eilės atminties modulį). Pagrindinės plokštės turėjo po kelis SIMM lizdus, į kuriuos įdėti ar iš kurių išimti SIMM blokelius galima be jokių papildomų įrankių. Labiausiai paplito dviejų tipų SIMM blokeliai – su 30 ir su 72 kontaktais. Pastarieji bbuvo naudoti naujesniems kompiuteriams; lizdai jiems kartais dedami ir į modernias pagrindines plokštes. Dėl didesnio (64 bitų) atminties magistralės pralaidumo „Pentium“ kompiuteriuose SIMM blokeliai turi būti dedami poromis.

Maždaug prieš penkerius metus dėl padidėjusio atminties kiekio ir spartos poreikių pradėtas naudoti naujesnis atminties blokelių variantas – DIMM („Dual In-line Memory Module“ – dviejų eilių atminties modulis). Abiejose SIMM blokelio pusėse buvo tie patys kontaktai, o DIMM blokelyje kiekvienoje pusėje jie yra skirtingi. Taip padidintas bendras kontaktų skaičius, vadinasi, ir magistralės pralaidumas. DDIMM blokelis iš viso turi 168 kontaktus.

Šiuo metu beveik visuose naujuose kompiuteriuose atmintis dedama DIMM blokeliais. Asmeniniams verslo ir namų kompiuteriams skirti 32 ir 64 MB darbinės atminties blokeliai, o profesionalų kompiuteriams ar serveriams galima įsigyti DIMM, kurių kiekvieno talpa yra 128 ar net 256 MB. Pagrindinėse plokštėse dažniausiai būna du trys arba keturi DIMM lizdai, tad kompiuteris gali maksimaliai turėti nuo 64 MB iki 1 GB darbinės atminties.

Naujos kartos „Rambus“ tipo darbinė atmintis montuojama RIMM blokeliuose, kurie yra labai panašūs į DIMM ir taip pat turi 168 kontaktus, tačiau tarpusavyje nedera. „Rambus“ atmintį galima dėti tik į specialiai jai pritaikytus lizdus.

Darbinė atmintis nešiojamiesiems kompiuteriams, mažiesiems delniniams kompiuteriams ir kitokiems įrenginiams (pavyzdžiui, spausdintuvams) neretai būna specialaus formato. Tokių formatų yra labai daug, o pastangos siekti vieningo standarto kol kas liko bevaisės. Lazeriniuose spausdintuvuose papildoma atmintis dažnai dedama standartiniais DIMM ar SIMM blokeliais, tačiau jie yra per dideli nešiojamiesiems kompiuteriams. Kai kurie nešiojamieji kompiuteriai naudoja vadinamuosius SO-DIMM blokelius, kurie iš esmės nesiskiria nuo paprastų DIMM, tik yra žemesni, pritaikyti ankštam nešiojamojo kompiuterio korpusui. Skaitmeniniams fotoaparatams ir kai kuriems kitiems įrenginiams naudojamos kelios tarpusavyje konkuruojančios ir nesuderinamos atminties technologijos: „Compact Flash“, „Sony Memory Stick“ ir kitos.

• SIPP ir SIMM-30 – patys pirmieji moduliai. BBuvo naudojami iki 486 procesoriu.

• SIMM-72-pin – 4-baitiniai moduliai. Naudojami 486 bei Pentiumose.

• DIMM-168 – 8-baitiniai moduliai Pentiumui ir toliau.

• DIMM-184 – 8-baitiniai moduliai DDR SDRAM sisteminės plokštems 6-7 procesoriams.

• RIMM – 2-baitiniai m.oduliai RDRAM sisteminės plokštems 6-7 procesoriams.

• SO DIMM (72 ir 144-pin) ir SO RIMM – maži moduliai nešiojamiems kompiuteriams.

• AIMM (AGP Inline Mmory Module) dar vadinami GPA Card (Graphics Performance Accelerator) – 66-kontaktų, 32- ar 16-bitų moduliai SDRAM. Naudojami padidinti grafinių adapterių atminčiai padidinti.1.6. Modulių identifikacija

Automatinei įdiegto modulio tipo identifikacijai naudojami skirtingi metodai. Šie metodai remiasi modulio konfigūracinės informacijos nuskaitymu arba pradinio testavimo metu modulio savybių „tyrimu“. Lygiagrečios identifikacijos metodas pradėtas naudoti su SIPP ir SIMM-30 moduliais (IBM). Į šių modulių interfeisą buvo įvesti du papildomi išvedimai, ir pagal įžemintus signalus sisteminė plokštė galėjo atpažinti įdiegtus modulius, bei jų tūrį. SIMM-72 moduliuose identifikacijai buvo skiriami 4 išvedimai, kurie turėjo pateikti informaciją apie naudojamos atminties tūrį, našumą ir tipą. Šiuolaikinėse plokštėse šitos linijos yra įžemintos, o čipsėtas atskiria modulius, vykdydamas specialius ciklinius atminties testavimus. SO DIMM-72 moduliai naudoja 7 lygiagrečios identifikacijos bitus, o DIMM-168 pirmos raidos – 10 bitų. Nauji atminties moduliai – DIMM-168 antros raidos, SO DIMM-144, DIMM-184 naudoja nuoseklią identifikaciją (Serial Presence Detection). Į modulį yra iintegruojama specialios, priklausančios nuo maitinimo, atminties mikroschema, kuri turi nuoseklų priėjimą per dvilaidį I2C interfeisą ir saugo išsamią konfigūracijos informaciją. Konfigūracijos duomenų formatas yra standartizuotas JEDEC, iš prieinamų 256 baitų parametrams yra skirti tik pirmieji 32 ir dar 32 yra užrezervuoti, 64 baitai yra skirti gamintojo informacijai.

Nuoseklios identifikacijos privalumas prieš lygiagrečią yra tame, kad naujų įrenginių tipų atsiradimas nereikalauja konstruktyvių pakeitimų – visas naujoves galima „atspėti“ programiniu būdu.1.7. SIMM moduliai

SIMM (Single In-Line Memory Module) kontaktai yra paauksintos (arba padengtos specialiu sluoksniu) aikštelės, kurios randasi abejuose paviršiuose vienos iš dviejų pusių. Moduliuose yra sumontuotos atminties mikroschemos SOJ arba TSOP korpusuose, jų adresiniai įeimai sujungti.

Pagal loginę organizaciją atskiria vienpusius ir abipusius modulius. Vienpusiuose moduliuose mikroschemos yra sumontuotos iš vienos pusės, abipusiuose – dvigubas komplektas mikroschemų, sumontuotų iš abiejų pusių (single side ir double side).

„Trumpi“, arba SIMM 30-pin moduliai turi 30 spausdintų išvedimo aikštelių ir vieno baito organizaciją.

„Ilgi“, arba SIMM 72-pin moduliai turi 72 spausdintas išvedimo aikšteles ir 4 baitų organizaciją, su galimybę nepriklausomo kreipimosi pagal CAS# signalus. SIMM modulių signalai pagrinde sutampa su dinaminės atminties mikroschemų signalais.1.8. DIMM moduliai

168-pin Buffered DIMM – pirmos raidos moduliai (IBM), kuriuose adresiniai ir valdymo (be RAS#) signalai yra buferizuoti. Antros raidos moduliai skiriasi tuo, kad

leidžia naudoti kiek asinchroninės atminties mikroschemas (FPM ir EDO), tiek ir sinchroninės (SDRAM)

168-pin Unbuffered DIMM – sinchroninės atminties moduliai (SDRAM), kurių adresavimo ir valdymo signalai yra buferizuoti registrų, sinchronizuojamų sisteminės šinos taktiniais impulsais, pagalba. Be atminties mikroschemų ir EEPROM šiuose moduliuose yra kelios registrų-užraktų mikroschemų. Registrų pagalba šie moduliai mažiau apkrauna atminties šiną, kas leidžia atrinkti didesnį atminties tūrį

168-pin Registered DIMM – moduliai, kuriuose visos grandinės nėra buferizuotos. Šie moduliai labiau apkrauna atminties šiną, bet leidžia pasiekti maksimalų našumą. Jie yyra skirti plokštėms, kurios turi nedaug (1-4) DIMM lizdų (slotų)

DIMM (Dual-In-Line-Memory Module) modulis turi 168 nepriklausomas spausdintas išvedimo aikšteles iš abejų pusių. Modulių konstrukcija ir interfeisas atitinka JEDEC 21- C standartą. Duomenų šinos laipsningumas yra 8 bitų, organizacija yra skirta naudoti kompiuteriuose su 4-8 bitų duomenų šina. Moduliai yra įstatomi į specialius lizdus (slotus) su raktinėmis pertvaromis, kurios užduoda galimą maitinimo įtampą ir naudojamų modulių tipą (raidą). Yra gaminami 3,3 ir 5 V įtampoms skirti moduliai. Pagal vidinę architektūrą mmoduliai yra artimi SIMM-72, bet tūri dvigubą laipsningumą, ir atitinkami dvigubą CAS# linijų skaičių. Moduliai pagaminti 4-64 bitų mikroschemų pagrindu turi talpą nuo 8 iki 256 MB.

168-pin Buffered DIMM– pirmos raidos moduliai (IBM), kuriuose adresiniai ir valdymo (be RAS#) ssignalai yra buferizuoti. Moduliai yra komplektuojami asinchroninės dinaminės atminties mikroschemomis (FPM, EDO, BEDO) ir savo architektūra primena SIMM-72. Moduliuose yra naudojama lygiagreti identifikacija – našumo ir tūrio parametrai yra paduodami per 8 buferiuotus identifikacijos išvedimus (Presence Detect pins).

Antros raidos moduliai skiriasi tuo, kad leidžia naudoti kiek asinchroninės atminties mikroschemas (FPM ir EDO), tiek ir sinchroninės (SDRAM). Išoriškai jie yra panašus į pirmos raidos modulius, bet skiriasi raktu, neleidžiančiu neteisingos instaliacijos. Moduliuose yra panaudota nuosekli parametrų identifikacija (I2C interfeiso pagalba). Atributai yra nuskaitomi iš specialios konfigūracines atminties (dažniausiai EEPROM 24C02).

168-pin Registered DIMM – moduliai, kuriuose visos grandinės nėra buferizuotos. Šie moduliai labiau apkrauna atminties šiną, bet leidžia pasiekti maksimalų našumą. Jie yra skirti plokštėms, kurios turi nedaug (1-4) DIMM lizdų (slotų) <

DIMM (Dual-In-Line-Memory Module) modulis turi 168 nepriklausomas spausdintas išvedimo aikšteles iš abejų pusių. Modulių konstrukcija ir interfeisas atitinka JEDEC 21- C standartą. Duomenų šinos laipsningumas yra 8 bitų, organizacija yra skirta naudoti kompiuteriuose su 4-8 bitų duomenų šina. Moduliai yra įstatomi į specialius lizdus (slotus) su raktinėmis pertvaromis, kurios užduoda galimą maitinimo įtampą ir naudojamų modulių tipą (raidą). Yra gaminami 3,3 ir 5 V įtampoms skirti moduliai. Pagal vidinę architektūrą moduliai yra artimi SIMM-72, bet tūri dvigubą laipsningumą, ir atitinkami ddvigubą CAS# linijų skaičių. Moduliai pagaminti 4-64 bitų mikroschemų pagrindu turi talpą nuo 8 iki 256 MB.

168-pin Buffered DIMM– pirmos raidos moduliai (IBM), kuriuose adresiniai ir valdymo (be RAS#) signalai yra buferizuoti. Moduliai yra komplektuojami asinchroninės dinaminės atminties mikroschemomis (FPM, EDO, BEDO) ir savo architektūra primena SIMM-72. Moduliuose yra naudojama lygiagreti identifikacija – našumo ir tūrio parametrai yra paduodami per 8 buferiuotus identifikacijos išvedimus (Presence Detect pins).

Antros raidos moduliai skiriasi tuo, kad leidžia naudoti kiek asinchroninės atminties mikroschemas (FPM ir EDO), tiek ir sinchroninės (SDRAM). Išoriškai jie yra panašus į pirmos raidos m.odulius, bet skiriasi raktu, neleidžiančiu neteisingos instaliacijos. Moduliuose yra panaudota nuosekli parametrų identifikacija (I2C interfeiso pagalba). Atributai yra nuskaitomi iš specialios konfigūracines atminties (dažniausiai EEPROM 24C02).

168-pin Unbuffered DIMM – moduliai, kuriuose visos grandinės nėra buferizuotos. Šie moduliai labiau apkrauna atminties šiną, bet leidžia pasiekti maksimalų našumą. Jie yra skirti plokštėms, kurios turi nedaug (1-4) DIMM lizdų (slotų).

168-pin Registered DIMM – sinchroninės atminties moduliai (SDRAM), kurių adresavimo ir valdymo signalai yra buferizuoti registrų, sinchronizuojamų sisteminės šinos taktiniais impulsais, pagalba. Be atminties mikroschemų ir EEPROM šiuose moduliuose yra kelios registrų-užraktų mikroschemų. Registrų pagalba šie moduliai mažiau apkrauna atminties šiną, kas leidžia atrinkti didesnį atminties tūrį.

DIMM-184 DDR SDRAM moduliai gabaritais yyra analogiški DIMM-168 moduliams,bet jie turi papildomas išpjovas iš šonų ir neturi kairiojo rakto. Maitinimo įtampa -2,5V.

Identifikacija nuosekli. Signalų turinis pagrindi atkuria DIMM SDRAM.1.9. RIMM moduliai (Rambus Interface Memory Module)

Savo forma yra panašus į paprastus atminties modulius, specialiai yra skirti RDRAM atminčiai. Juose 30-laidė šina eina iš karės į dešinę, ir toje šinoje yra lituojamos RDRAM mikroschemos BGA korpusuose. RIMM modulis turi iki 16 RDRAM mikroschemų, kurios yra sujungiamos lygiagrečiai visais išvedimais (išskyrus dvejus). Atminties mikroschemos yra uždengtos radiatoriaus plokšte. Skirtingai nuo SIMM ir DIMM, kuriu atminties turįs yra dalomas iš dviejų, RIMM gali turėti lygesnę trinių eilę – srautą galimą papildyti nors ir viena mikroschema.

DRAM panaudojimas operatyviojoje atmintyje

Nepriklausomų bankų ir šynos laipsningumo didinimas labai trukdo duomenų perdavimo atminties interfeisu greičio augimui. Negalima padidinti RAM tūrio pridedant po vieną mikroschemą – galima tik po 4 (dažniau po 8). Atminties bankas yra renkamas iš modulių (arba mikroschemų) DRAM, kurių skaičius apsprendžia laipsningumą, kurio reikalauja mikroprocesorius (ir čipsetas).

Lizdų (slotų) skaičiaus augimui trukdo ribota apkraunamoji galimybe atminties šinos – kiekvienas lizdas prideda parazitinį turį ir induktyvumą, kurie apriboja šinos našumą. Dėl šio poveikio SDRAM moduliams buvo sukurta PC100 specifikacija, kurioje be našumo reikalavimų yra apsprendžiami ir konstruktyvus niuansai. Vėliau atsirado ir PC133 sspecifikacija – šinos dažniui 133Mhz. Bet taktinio dažnio didinimas yra sudėtingas dėl didelio signalinių laidininkų skaičiaus. Populiarus šiandien DIMM SDRAM moduliai naudoja 96 signalines grandines: 32 adresinių ir valdymo linijų ir 64 duomenų linijas. Aukštuose dažniuose tenka atsižvelgti į signalų laidininkuose plėtimosi užlaikymus, ir kas yra nemaloniausia – į tų užlaikymų skirtumą.1.10. Nuo maitinimo nepriklausanti atmintis

Apibendrintas nuo maitinimo nepriklausančios atminties terminas (NV Storge) apjungia savyje bet kurį įrenginį, saugantį duomenis net be maitinančios įtampos. Egzistuoja daugelis tokios atminties tipų: ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash Memory, FRAM, kurie skiriasi savo naudojimo ypatumais. Informacijos įrašymas į energonepriklausomą atmintį vadinamas programavimu, dažniausiai yra daug sudėtingesnis ir reikalauja didesnių energijos ir laiko išteklių, negu nuskatymas. Pagrindinis tokios atminties darbo režimas yra duomenų nuskaitymas, o kai kurie tipai po programavimo leidžia tik nuskaitymą, kas ir apsprendžia jų bendrą pavadinimą ROM (Read Only Memory). Energonepriklausomos atminties ląstelės pagal savo prigimtį pagrinde yra asimetriškos ir, kaip taisyklė, leidžia tik įrašyti nulius į iš anksto išvalytų (švarių) ląstelių reikalingus bitus, kuriuose yra vienetai. Vieną kartą programuojamos mikroschemos leidžia tik pakeisti tik pradinę (po pagaminimo) ląstelių būseną. Išvalymui (jeigu jis įmanomas) reikalaujama didelių energijos ištekių, ir išvalymo procedūra yra žymiai ilgesnė negu įrašymo. Išvalymas suveda

visus išvalomos srities bitus į vienodą būseną (dažniausiai į visus vienetus, rečiau – į visus nulius). Programavimo procedūra reikalauja, palyginus, aukštos programavimo įtampos, o vieną kartą programuojamoms mikroschemoms ir specialaus valdymo interfeiso. Po programavimo reikalinga patikrinimas – įrašytos informacijos paliginimas su originalu. Mikroschemų išvalymas ir programavimas gali būti atliekami kaip specialiame įrenginyje, kuris vadinamas programatoriumi, taip ir paskirties įrenginyje, jeigu jame yra numatyta tokia galimybė. Mikroschemas skiria pagal programavimo galimybes.Išvados

Darbinė atmintis būtina kiekvienam kompiuteriui vien dėl to, kad procesorių ir dduomenų saugyklų sparta labai skiriasi

Tarpinė atmintis spartesnė už darbinę ir skirstoma į kelis lygmenius L1 (Primary cache) ir L2 (Secondary cache). Dažniausiai būna SRAM tipo tarpinė atmintis

Pagrindinis sistemų kūrėjų tikslas – pasiekti, kad procesorius duomenis iš antrinės TA pasiimtų kaip galima sparčiau, nesugaišdamas papildomų procesoriaus ciklų.

Viena svarbiausių atminties charakteristikų yra sparta. Ją apibūdina 3 parametrai: kreipties laikas, atminties ciklo laikas ir transliavimo greitis.

Atminties greitis priklauso nuo atminties magistralės rūšies

Spartinančioji atmintis gelbsti trumpinant keitimosi duomenimis tarp procesoriaus ir dinaminės atminties trukmę

Koncepcija. BBet kuriuo laiko momentu tam tikra pagrindinės atminties dalis (manoma, kad 10-20%) gali būti reikalinga procesoriui (su 80-90% tikimybe). Spartinančioji atmintis įsikelia šią dalį ir tuomet procesorius greičiau operuoja visa kompiuterio atminties sistema

Pagrindinėje atmintyje naudojamos DRAM, o ne SRAM mikroschemos ddėl mažesnės kainos

Daugiau kaip prieš 10 metų ėmė plisti moduliari atmintis. DA lustai buvo montuojami į specialų blokelį, vadinamą SIMM

1. http://www.el.vtu.lt

2. http://www.thechipmerchant.com

3. http://www.valueram.ru

4.http://www.tomshardware.com

5. Danguolė Janickienė „Innformatika“, Spindulys, Kaunas 2003m.